Taille du marché de la mémoire non volatile, part, tendances du marché d’ici 2027 | Le besoin croissant d’une technologie de stockage de données efficace

Le marché de la mémoire non volatile devrait valoir 90 milliards USD, avec un TCAC prévu de 11% entre 2020 et 2027.

En raison de la demande croissante de dispositifs de mémoire hautement évolutifs ainsi que de la demande croissante de mémoire non volatile dans les appareils connectés et portables, le marché mondial de la mémoire non volatile devrait se développer rapidement au cours de la période de prévision. Le marché mondial est en expansion en raison de la demande croissante de mémoire non volatile dans de nombreux secteurs verticaux, notamment BFSI, les soins de santé, la fabrication, la vente au détail et l’informatique et les télécommunications.

Les clients s’attendent à ce que leurs appareils soient de plus en plus remarquables, offrent de nouvelles fonctionnalités à un rythme effréné et stockent plus de films, de photos et de musique sur le marché florissant de l’électronique grand public. Bien que la séquence ait récemment permis des progrès significatifs, un autre âge de la mémoire est prévu alors que la lueur rencontre des obstacles à l’innovation qui l’empêchent de se développer considérablement davantage.

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Acteurs clés :

Les sociétés suivantes sont quelques-uns des principaux acteurs du marché mondial de la mémoire non volatile:

• Samsung Electronics Co., Ltd. (Corée du Sud)
• Toshiba Corporation (Japon)
• Micron Technology, Inc. (États-Unis)
• SK Hynix, Inc. (Corée du Sud)
• Western Digital Corporation (États-Unis)
• Fujitsu Ltd. (États-Unis)
• Intel Corporation (États-Unis)
• IBM Corporation (États-Unis)
• Nantero (États-Unis)
• Crossbar Inc.

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Analyse régionale :

Géographiquement parlant, le marché de la mémoire non volatile est divisé en Amérique du Nord, en Europe, en Asie-Pacifique et dans le reste du monde. L’Asie-Pacifique devrait avoir la plus grande part de marché du marché mondial de la mémoire non volatile et connaître une croissance significative au cours de la période de prévision par rapport aux autres régions. Cela est dû à la demande croissante de la région pour des périphériques de mémoire qui utilisent peu d’énergie et sont hautement évolutifs.

Les initiatives gouvernementales favorables dans des pays comme la Chine, qui est considérée comme le centre de fabrication électronique, sont entre autres facteurs contribuant à l’expansion du marché de l’Asie-Pacifique. En raison de ses ressources financières importantes, la Chine est un moteur majeur du marché pour la mémoire non volatile. Un autre facteur de croissance du marché de la mémoire non volatile est la présence de titans de l’industrie comme Samsung et Hynix.

Le marché mondial des mémoires non volatiles devrait connaître une expansion considérable sur le marché nord-américain au cours de la période projetée. En raison de la présence de nombreux acteurs clés établis dans cette région, notamment Micron Technology, Inc., Western Digital Corporation, Fujitsu Ltd., Intel Corporation et IBM Corporation, les États-Unis et le Canada devraient mener la croissance du marché de la mémoire non volatile en Amérique du Nord. Le marché devrait connaître une croissance considérable dans les années à venir en raison des économies stables et établies de la région. De plus, l’Amérique du Nord dispose d’une infrastructure développée qui permet une plus grande pénétration des appareils et, en fin de compte, améliore la connectivité.

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Segmentation du marché :

Le type, l’application et les segments verticaux sont utilisés pour diviser le marché mondial des mémoires non volatiles. Il existe deux catégories pour le marché de la taille des caractères: en développement et traditionnel. La catégorie traditionnelle, cependant, comprend l’EPROM, la SPROM, la mémoire non volatile intégrée, la SRAM non volatile et la FLASH. Sur ce marché, le marché traditionnel de la mémoire non volatile devrait détenir la plus grande part de marché de la mémoire non volatile intégrée. En effet, le marché des appareils connectés connaît une augmentation de la demande de mémoire non volatile intégrée.

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